时间：2025/7/4 19:53:02
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HH15N220J500CT是一款高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型功率MOSFET。它广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率转换的领域。该器件具有高击穿电压和低导通电阻的特点，能够在高频条件下提供出色的性能。
HH15N220J500CT采用了先进的制造工艺，能够有效降低开关损耗并提高系统的整体效率。
最大漏源电压：220V
连续漏极电流：15A
栅极阈值电压：2V~4V
导通电阻：0.18Ω
总功耗：500W
工作结温范围：-55℃~175℃
封装形式：TO-247
HH15N220J500CT的主要特性包括：
1. 高击穿电压：该器件可承受高达220V的漏源电压，适用于多种高压应用场景。
2. 低导通电阻：其导通电阻仅为0.18Ω，能显著减少传导损耗并提升系统效率。
3. 快速开关速度：具备较低的输入电容和输出电容，从而实现更快的开关速度，降低开关损耗。
4. 热稳定性强：在高温环境下仍能保持良好的性能，最高工作结温可达175℃。
5. 封装可靠：采用TO-247封装，散热性能优越，适合大功率应用需求。
HH15N220J500CT适用于以下场景：
1. 开关电源设计中的主开关管。
2. 电机驱动电路中的功率控制元件。
3. 太阳能逆变器和不间断电源（UPS）中的功率转换模块。
4. 工业自动化设备中的负载切换与控制。
5. 各类需要高效功率管理的电子系统中。
IRFP260N
STP15NF22
FDP15N22S
