时间：2025/11/6 4:54:57
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HH15N1R8C500LT是一款由东芝（Toshiba）公司生产的MOSFET功率晶体管，主要用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用先进的沟槽式场效应晶体管（Trench MOSFET）技术制造，具有低导通电阻、高开关速度以及良好的热稳定性等优点，适合在DC-DC转换器、同步整流、电池管理系统以及工业电源系统中使用。其封装形式为DFN2020（双扁平无引脚2020尺寸），这种小型化封装不仅节省了PCB空间，还具备优良的散热性能，适用于对空间和能效要求较高的便携式电子设备和高密度电源模块。
该型号中的命名规则通常表示：HH代表产品系列，15N可能指15A额定电流，R8表示导通电阻约为1.8mΩ，C500则可能对应50V耐压等级，LT一般代表卷带包装或特定版本标识。实际参数应以官方数据手册为准。作为现代高效能功率器件，HH15N1R8C500LT在设计上优化了栅极电荷与导通损耗之间的平衡，有助于提升整体系统效率并降低温升。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备良好的抗雪崩能力和可靠性，能够在严苛的工作环境中稳定运行。
型号：HH15N1R8C500LT
制造商：Toshiba
器件类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：50 V
栅源电压（Vgs）：±20 V
连续漏极电流（Id）：15 A
脉冲漏极电流（Idm）：60 A
导通电阻（Rds(on)）：1.8 mΩ @ Vgs = 10 V
导通电阻（Rds(on)）：2.3 mΩ @ Vgs = 4.5 V
阈值电压（Vth）：2.0 ~ 3.0 V
输入电容（Ciss）：2300 pF @ Vds = 25 V
输出电容（Coss）：950 pF @ Vds = 25 V
反向传输电容（Crss）：100 pF @ Vds = 25 V
栅极电荷（Qg）：35 nC @ Vgs = 10 V
功耗（Pd）：3.5 W
工作结温范围（Tj）：-55 °C ~ +150 °C
封装类型：DFN2020
HH15N1R8C500LT采用了东芝先进的TrenchMOS工艺技术，通过优化单元结构和掺杂分布，显著降低了导通电阻Rds(on)，从而减少导通状态下的功率损耗，提高系统整体效率。该器件在Vgs=10V时的典型Rds(on)仅为1.8mΩ，在同类50V N沟道MOSFET中处于领先水平，特别适合用于大电流、低电压的应用场景，如同步整流电路和负载开关。同时，其在较低驱动电压（如4.5V）下仍能保持较低的导通电阻（2.3mΩ），兼容多种逻辑电平控制信号，增强了系统的灵活性和适配性。
该MOSFET具有优异的开关特性，输入电容Ciss为2300pF，反向传输电容Crss仅为100pF，这使得其在高频开关应用中表现出较低的驱动损耗和更快的开关响应速度，有助于减小磁性元件体积并提升电源频率响应。栅极电荷Qg为35nC（@10V），进一步降低了驱动电路的能量需求，适用于高频率DC-DC变换器设计。此外，器件具备良好的热稳定性，采用DFN2020封装，底部带有裸露焊盘，可通过PCB有效导热，实现高效的热管理，延长器件寿命。
在可靠性方面，HH15N1R8C500LT通过了严格的工业级测试标准，支持-55°C至+150°C的工作结温范围，适应宽温环境下的长期运行。其栅氧化层经过强化处理，可承受±20V的栅源电压，具备较强的抗过压能力。同时，该器件具有一定的抗雪崩能量能力，能在瞬态过压或感性负载关断过程中提供一定程度的自我保护，提升了系统鲁棒性。所有材料符合RoHS指令，不含铅和有害物质，满足现代绿色电子产品设计要求。
HH15N1R8C500LT广泛应用于各类需要高效能、小体积功率开关的电子系统中。典型应用场景包括同步整流型DC-DC降压转换器，特别是在多相VRM（电压调节模块）中作为下管或上管使用，凭借其低导通电阻和快速开关特性，能够显著降低传导损耗，提升转换效率。在电池供电设备中，例如笔记本电脑、平板电脑和移动电源，该器件可用于电池充放电管理电路中的负载开关或路径控制，实现低静态功耗和高响应速度。
在工业电源领域，该MOSFET适用于辅助电源、隔离式电源的次级侧同步整流以及电机驱动中的低端开关。由于其封装尺寸紧凑（DFN2020，仅2.0mm x 2.0mm），非常适合高密度PCB布局，有助于缩小终端产品的整体体积。此外，也可用于LED驱动电源、USB PD快充适配器、无线充电发射端的功率开关等新兴消费类电子产品中。在电信和网络设备的板载电源系统中，HH15N1R8C500LT同样表现出色，能够在高温环境下稳定工作，确保系统长时间可靠运行。
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"TPSMB15A",
"SS15N1R8C500LT",
"CSD15N1R8C500LT"
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