型号：HH15N1R2B500LT
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：TO-247AC
　　漏源电压 VDS：500 V
　　栅源电压 VGS：±30 V
　　连续漏极电流 ID：15 A
　　脉冲漏极电流 IDM：60 A
　　导通电阻 RDS(on) max @ VGS = 10 V：1.2 Ω
　　导通电阻 RDS(on) typ @ VGS = 10 V：1.0 Ω
　　阈值电压 VGS(th) min：3 V
　　阈值电压 VGS(th) max：5 V
　　输入电容 Ciss：1100 pF
　　输出电容 Coss：380 pF
　　反向传输电容 Crss：60 pF
　　总栅极电荷 Qg typ：45 nC
　　开启延迟时间 td(on)：25 ns
　　关断延迟时间 td(off)：60 ns
　　峰值结温 Tj max：150 °C
　　功耗 PD：200 W
　　二极管正向电流 IF：15 A
　　反向恢复时间 trr：45 ns

HH15N1R2B500LT具备出色的电气性能与热稳定性，是中高功率开关应用中的理想选择。其核心优势在于低导通电阻RDS(on)，在VGS=10V时典型值仅为1.0Ω，最大不超过1.2Ω，有效降低了导通状态下的功率损耗，提升了电源系统的转换效率。这对于需要持续大电流工作的应用场景尤为重要，例如工业电源模块或不间断电源（UPS）系统。
　　该器件采用了优化的沟槽栅结构，显著减少了栅极电荷（Qg），典型值为45nC，从而加快了开关速度，减小了开关过程中的能量损耗，有利于实现高频化设计。同时，较低的输入电容（Ciss=1100pF）和反向传输电容（Crss=60pF）也有助于抑制米勒效应，提升器件在高速开关环境下的稳定性与抗干扰能力。
　　HH15N1R2B500LT内置的体二极管具有较短的反向恢复时间（trr=45ns），可减少换流过程中产生的电压尖峰和振荡，降低EMI噪声水平，并提升系统可靠性。这一特性特别适用于桥式电路或同步整流拓扑中可能出现反向电流的应用场景。
　　该MOSFET支持高达500V的漏源耐压，能够承受瞬态过压冲击，适用于电网波动较大的环境中使用。其峰值结温可达150°C，并结合TO-247AC封装优良的散热性能，确保在高温环境下长期可靠运行。此外，器件通过了AEC-Q101认证的部分应力测试，表现出较高的制造质量和可靠性，适合用于对稳定性要求较高的工业与能源类设备。

HH15N1R2B500LT广泛应用于多种中高功率电力电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS），如服务器电源、通信电源和工业用AC-DC转换器，在这些系统中作为主开关管或同步整流器件使用，以实现高效能的能量转换。它也常用于DC-DC升压或降压变换器中，特别是在光伏逆变器或电动汽车充电模块中处理高电压直流母线的开关操作。
　　在电机驱动领域，该器件可用于中小功率交流或直流电机的H桥驱动电路中，提供快速响应和低功耗控制能力。此外，由于其具备较高的dv/dt抗扰度和良好的热性能，也被应用于照明电源（如LED驱动电源）、感应加热设备以及不间断电源（UPS）系统中，承担主功率切换功能。
　　得益于其500V额定电压和较强的抗雪崩能力，HH15N1R2B500LT还可用于存在感性负载突变的场合，例如继电器或变压器初级侧的开关控制，能有效抵御因电感反电动势引起的电压冲击，保护整个电路系统的安全运行。因此，该器件在工业自动化、新能源发电、消费类大功率电器等领域均有广泛应用前景。

IRFPE50
　　STP15NF50
　　FQP15N50
　　IXFH15N50P
　　SPW20N50C3