时间：2025/3/25 9:51:59
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HH15N181J250CT是一款高压大功率的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），主要应用于工业和汽车电子领域。该型号采用TO-247封装形式，具有较高的耐压能力以及低导通电阻特性，能够承受较大的电流负载。这款MOSFET适用于开关电源、逆变器、电机驱动以及其他需要高效率电能转换的应用场景。
最大漏源电压：1800V
最大连续漏极电流：15A
导通电阻：1.2Ω
栅极电荷：55nC
输入电容：1200pF
总耗散功率：250W
工作结温范围：-55℃至+175℃
HH15N181J250CT具备高击穿电压能力，适合在高电压环境下稳定运行。同时其低导通电阻设计有助于减少能量损耗并提高整体效率。
此外，该器件还拥有快速开关速度与优秀的热稳定性，从而保证了在高频操作下的性能表现。另外，它具有较低的栅极电荷，这使得驱动功耗得以降低，进一步优化了系统的能效水平。
该产品符合RoHS环保标准，并且通过了多项可靠性测试，确保长期使用的安全性与可靠性。
该MOSFET广泛用于各种电力电子设备中，包括但不限于开关模式电源(SMPS)、不间断电源(UPS)系统、太阳能逆变器、电动汽车牵引逆变器、工业马达控制电路以及各类电池充电装置等。凭借出色的电气特性和坚固耐用的设计，HH15N181J250CT成为许多高性能应用的理想选择。
IXYS IXFN15N180T2, Infineon IKW25S180N5, STMicroelectronics STW13NM180DH
