时间：2025/7/18 16:23:08
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HH15N151G500CT是一款基于硅基材料的高压MOSFET芯片，主要应用于高电压场景中的开关和功率转换电路。该型号属于N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻、快速开关速度以及良好的耐热性能，适用于多种工业和消费电子领域。其设计优化了在高频应用下的效率和可靠性。
最大漏源电压：1500V
连续漏极电流：15A
栅极阈值电压：4V
导通电阻：0.3Ω
总功耗：250W
工作温度范围：-55℃至+175℃
HH15N151G500CT采用了先进的制造工艺，具备以下特点：1. 高击穿电压，适合高电压环境下的使用；2. 极低的导通电阻，减少功率损耗；3. 快速开关能力，支持高频工作场合；4. 高度稳定的电气性能，确保长时间运行可靠；5. 良好的热管理设计，有效提升散热性能。
此外，该器件还集成了保护功能，如过流保护和过温关断，进一步提高了系统的安全性和稳定性。
HH15N151G500CT广泛应用于多个领域，包括但不限于：1. 开关电源（SMPS）；2. 电机驱动控制；3. 太阳能逆变器；4. 电动车控制器；5. 工业自动化设备中的功率转换模块；6. 不间断电源（UPS）系统。
这些应用充分利用了其高电压承受能力和高效的功率转换性能。
HH15N151G400CT, IRFP250N, STP15NK150Z
