时间：2025/7/4 19:52:15
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HH15N130J500CT是一款高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用N沟道增强型设计。该芯片适用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等高电压应用场景，具有较低的导通电阻和快速的开关速度。其封装形式通常为TO-247或TO-220，能够提供高效的功率转换和良好的热性能。
该器件在工业应用中非常普遍，尤其适合需要高耐压和低损耗的场景。
最大漏源电压：1300V
连续漏极电流：15A
导通电阻：0.8Ω
栅极电荷：150nC
开关时间：开启时间50ns，关断时间70ns
工作温度范围：-55℃至+150℃
HH15N130J500CT具备高耐压能力，可以承受高达1300V的漏源电压，非常适合高压环境下的使用。此外，它的导通电阻较低，有助于减少传导损耗并提高整体效率。
该芯片还具有快速开关特性，使得它能够在高频应用中保持较低的开关损耗。内置的雪崩能量保护功能进一步增强了器件的可靠性。
同时，其良好的热性能允许在较高结温下运行，延长了器件的使用寿命。总之，这款MOSFET结合了高耐压、低导通电阻和快速开关速度，是高压功率转换应用的理想选择。
HH15N130J500CT广泛应用于多种领域，包括但不限于以下方面：
1. 高频开关电源
2. 工业电机驱动
3. DC-DC转换器
4. 太阳能逆变器
5. 电动车辆的电力电子系统
6. 其他需要高耐压和低损耗的功率转换场景
