时间：2025/6/21 3:02:04
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HH15N0R7D500CT是一款高性能的MOSFET功率晶体管，属于N沟道增强型器件。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于多种电力电子应用领域。其设计能够承受较高的漏源电压，并支持大电流运行，同时提供卓越的效率和可靠性。
型号：HH15N0R7D500CT
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：700V
连续漏极电流(Id)：15A
栅极电荷(Qg)：85nC
导通电阻(Rds(on))：0.07Ω
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-247
HH15N0R7D500CT具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)）确保了在大电流应用中的高效性能。
2. 高额定漏源电压使其适用于高压环境，例如工业电源和电机驱动。
3. 快速开关能力减少了开关损耗，从而提高了整体系统效率。
4. 优化的栅极电荷使得驱动更为简单，降低了对驱动电路的要求。
5. 良好的热稳定性允许在极端温度条件下长期可靠运行。
6. 强大的抗雪崩能力和鲁棒性增强了器件的耐用性和安全性。
7. 封装形式坚固耐用，适合自动化装配和高功率密度应用。
HH15N0R7D500CT广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中作为主开关元件。
2. 工业电机控制和变频器中的功率级开关。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的关键功率组件。
4. 电动车辆(EV)和混合动力汽车(HEV)中的电池管理系统和驱动电机控制器。
5. 各类家用电器中的高压驱动和功率调节电路。
6. 照明系统的镇流器和LED驱动电路。
由于其出色的性能指标和可靠性，该器件非常适合需要高效能量转换和严格散热管理的应用场景。
IRFP460, STP15NM70K5, FDP18N70C
