时间：2025/7/9 19:52:00
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HH15N0R5B500CT 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT）。该器件专为高频和高功率应用而设计，具有极低的导通电阻和快速开关特性，适合用于电源管理、DC-DC转换器、逆变器以及射频放大器等场景。
这款芯片采用了先进的封装技术，能够提供卓越的热性能和电气性能。其出色的效率和紧凑的设计使其成为现代电力电子系统中的理想选择。
型号：HH15N0R5B500CT
类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
最大漏源电压：600 V
最大连续漏极电流：15 A
导通电阻：4.5 mΩ典型值
栅极电荷：70 nC最大值
反向恢复时间：无（由于 GaN 的特性）
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247-4
HH15N0R5B500CT 的主要特点是结合了氮化镓材料的优异性能与高效的封装技术。
1. 极低的导通电阻使得在高电流应用中损耗显著降低。
2. 高开关速度有助于提高系统效率并减少磁性元件的体积。
3. 无需体二极管的反向恢复问题，进一步提升了系统的整体性能。
4. 耐压能力高达 600V，支持广泛的工作条件。
5. 先进的热管理设计确保长时间稳定运行。
6. 可靠性经过严格测试，适用于工业及汽车级应用环境。
HH15N0R5B500CT 广泛应用于以下领域：
1. 高效 DC-DC 转换器和 PFC（功率因数校正）电路。
2. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
3. 数据中心和通信基站中的电源模块。
4. 快速充电器和适配器设计。
5. 电动汽车牵引逆变器及其他车载电子系统。
6. 射频功率放大器以及其他高频应用。
HH15N0R5B450CT, HH15N0R5B650CT
