型号：HH15N0R4B500LT
　　制造商：Diodes Incorporated
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：500V
　　最大栅源电压（Vgs）：±30V
　　最大连续漏极电流（Id）：15A
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：60A
　　最大功耗（Pd）：50W
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值400mΩ，最大值450mΩ（Vgs=10V, Id=7.5A）
　　阈值电压（Vgs(th)）：典型值3.0V，范围2.0V~4.0V
　　输入电容（Ciss）：典型值1100pF（Vds=25V, Vgs=0V, f=1MHz）
　　输出电容（Coss）：典型值380pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值45ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-252 (DPAK)
　　安装类型：表面贴装

HH15N0R4B500LT采用先进的沟槽栅极技术，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通状态下的功率损耗，提升了系统能效。其典型的Rds(on)值为400mΩ，在Vgs=10V且Id=7.5A的工作条件下表现出色，特别适用于对效率要求较高的开关电源和DC-DC变换器。该器件具备高击穿电压能力，V(BR)DSS达到500V，确保在瞬态过压或浪涌条件下仍能保持稳定运行，增强了系统的鲁棒性。其栅极阈值电压在2.0V至4.0V之间，允许使用常见的10V驱动信号实现完全导通，同时也支持与多种PWM控制器无缝对接。
　　该MOSFET具有较低的输入和输出电容，Ciss典型值为1100pF，Coss为380pF，这有助于减小开关过程中的充放电能量损失，加快开关速度，进而降低开关损耗。这对于高频工作的电源拓扑（如LLC谐振转换器、有源钳位反激等）尤为重要。同时，其反向恢复时间trr仅为45ns，配合体二极管优化设计，可有效抑制寄生振荡和电压尖峰，提升EMI性能。TO-252封装不仅提供了良好的机械强度，还具备较强的散热能力，通过PCB上的铜箔即可实现有效热传导，适合自动化贴片生产流程。
　　器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应严苛环境下的长期运行需求。内置的热保护机制使其在过载或异常工况下仍能维持一定安全性。此外，产品符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，满足现代电子产品对环保材料的要求。整体设计兼顾性能、可靠性和成本效益，使其成为众多中压功率应用的理想选择之一。

HH15N0R4B500LT广泛应用于各类中等功率开关电源系统，包括但不限于离线式AC-DC适配器、充电器、LED照明驱动电源、工业电源模块以及电信设备供电单元。由于其500V耐压等级和较高的电流处理能力，常被用于反激式（Flyback）、正激式（Forward）和主动式功率因数校正（PFC）电路中的主开关器件。在PFC升压级中，该MOSFET能够高效地进行能量切换，帮助系统达到更高的功率因数并满足能效规范要求。此外，它也适用于太阳能微逆变器、小型UPS不间断电源和电机控制电路中的功率开关环节。
　　在消费类电子产品中，该器件可用于笔记本电脑电源适配器、智能电视电源板和家用电器中的开关模式电源（SMPS）。其表面贴装封装形式有利于实现轻薄化设计和自动化生产，尤其适合空间受限但需较高功率密度的应用场景。在工业控制领域，HH15N0R4B500LT可用于PLC电源模块、传感器供电电路和直流电机驱动桥臂中的开关元件。得益于其良好的热稳定性和抗浪涌能力，即使在电网波动较大的环境中也能保持可靠运行。此外，该器件还可用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，或作为热插拔电路中的功率通断元件。综合来看，其高效率、高可靠性和紧凑封装使其成为多种电力电子系统的优选功率开关器件。

STP16NF50
　　FQP13N50
　　IRFBC40
　　KSE1500R500T