类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：600V
　　最大漏极电流（Id）：7A
　　导通电阻（Rds(on)）：约1.2Ω
　　栅极电荷（Qg）：约22nC
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220AB

HGTP7N60A4D/7N60A4D具备出色的导通和开关特性，使其在电源转换应用中表现出色。
　　首先，其600V的漏源电压额定值使其适用于高压应用，例如AC-DC转换器和功率因数校正（PFC）电路。
　　其次，7A的连续漏极电流能力能够满足中高功率负载的需求，确保系统稳定运行。
　　该器件的导通电阻约为1.2Ω，有助于减少导通损耗并提高整体效率。
　　此外，其栅极电荷为22nC左右，意味着开关过程中的能量损耗较低，从而提升高频开关应用的性能。
　　内置的快速恢复二极管（FRD）可以有效减少反向恢复损耗，适用于需要快速切换的应用场景。
　　最后，TO-220AB封装提供了良好的热管理和机械稳定性，适用于多种电路板布局。

由于其高压、中电流和低导通电阻的特点，HGTP7N60A4D/7N60A4D广泛应用于多种电力电子设备中。
　　主要应用包括开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、电池充电器和功率因数校正（PFC）模块。
　　在工业自动化领域，该器件可用于电机驱动和逆变器系统，以实现高效电能转换。
　　另外，它还适用于LED照明驱动电路，特别是在高功率LED应用中，可提供稳定的电流控制。
　　在新能源领域，如太阳能逆变器和电动车充电设备中，该MOSFET可作为关键的功率开关元件。
　　此外，该器件也可用于消费类电子产品中的电源管理模块，如电视、音响和家用电器。

FQP7N60C, STP7NK60Z, IRF740A