时间：2025/8/24 20:08:17
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HGTP6N50E1D是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）制造的N沟道增强型高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制、负载开关和功率放大器等高电压和高电流的场合。HGTP6N50E1D具有高耐压、低导通电阻以及快速开关特性，适用于需要高效能和高可靠性的工业和消费类电子设备。
最大漏源电压(Vds)：500V
最大栅源电压(Vgs)：±30V
最大连续漏极电流(Id)：6A（Tc=25℃）
导通电阻(Rds(on))：典型值1.4Ω（Vgs=10V，Id=3A）
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装类型：TO-220
HGTP6N50E1D MOSFET具备多项优异的电气和热性能。其高耐压能力（500V Vds）使其适用于高电压电源转换系统。该器件的低导通电阻（Rds(on)）在1.4Ω左右，可以显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，HGTP6N50E1D采用了先进的平面工艺技术，确保了良好的热稳定性和可靠性。器件的栅极设计允许使用±30V的栅极电压，使其在高噪声环境中仍能保持稳定工作。
在热管理方面，TO-220封装提供了良好的散热性能，能够在高电流条件下保持较低的结温。器件还具备快速开关能力，减少了开关损耗，提高了整体系统的效率。这些特性使得HGTP6N50E1D在多种高电压功率应用中表现出色，特别是在需要长时间稳定运行的工业设备中。
HGTP6N50E1D广泛应用于各种高电压和高功率的电子系统中。其典型应用包括开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、DC-DC转换器、电机驱动器、LED照明驱动电路、电池充电器以及家用电器中的功率控制模块。此外，由于其优异的热稳定性和高可靠性，该器件也常用于工业自动化控制系统、智能电表和安防设备中。
STP6NK50Z, IRFP460, FQP5N50C, 2SK2647
