时间：2025/12/29 14:53:22
阅读：9
HGTP2N120BND 是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的高电压、高频率绝缘栅双极型晶体管（IGBT），专为高效率、高功率密度的电源应用而设计。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降特性，适用于如电源转换器、电机控制、感应加热、UPS和太阳能逆变器等高功率应用场景。HGTP2N120BND采用了先进的沟道型IGBT技术，具备良好的动态和静态性能，同时具备较高的短路耐受能力。
类型：IGBT（绝缘栅双极型晶体管）
集电极-发射极击穿电压（VCES）：1200V
最大集电极电流（IC）：12A（Tc=100℃）
最大功耗（PD）：62W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
栅极-发射极电压（VGE）：±20V
导通压降（VCEsat）：约2.1V（典型值，IC=12A时）
短路耐受能力：有
封装类型：TO-247
HGTP2N120BND 采用了先进的沟道型IGBT技术，具备较低的导通压降和较快的开关速度，从而降低了开关损耗并提升了整体效率。该器件具备良好的热稳定性和耐久性，在高温度环境下仍能保持稳定工作。此外，它具备一定的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏，提高了系统的可靠性。
其高耐压特性（1200V）使其适用于高压电源转换系统，能够承受较大的电压波动，减少了因电压尖峰而导致的失效风险。器件的封装形式为TO-247，具备良好的散热能力，适用于高功率密度设计。此外，该IGBT的栅极驱动电路较为简单，便于集成和控制，适合用于各种高频开关应用。
HGTP2N120BND 广泛应用于各种高功率电子系统中，包括：太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、工业电机驱动、感应加热设备、开关电源（SMPS）以及电焊机等。在这些应用中，该器件能够提供高效的电能转换和稳定的性能表现，适用于需要高电压、高频率和高可靠性的电路设计。
FGA25N120ANTD, IKW25N120H3, HGTG2N60B3D
