HGTP20N60C3R是一款高压、高速N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由ON Semiconductor(安森美半导体)制造。这款MOSFET适用于需要高效率和高可靠性的电源应用,例如开关电源(SMPS)、直流-直流转换器、照明镇流器和电机控制电路。该器件采用先进的非穿通(Non-Punch-Through)技术,具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性。HGTP20N60C3R封装为TO-247,便于散热和在高功率应用中使用。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):20A
最大漏-源电压(VDS):600V
最大栅-源电压(VGS):±30V
导通电阻(RDS(on)):0.25Ω(最大)
栅极电荷(Qg):80nC(典型)
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装:TO-247
HGTP20N60C3R具有多项优良特性,使其适用于高性能电源设计。首先,其高耐压能力(600V VDS)使得该器件适用于各种高压电源应用,如AC-DC转换器和功率因数校正(PFC)电路。其次,导通电阻较低(最大0.25Ω),有助于减少导通损耗,提高整体系统效率。此外,该MOSFET采用了先进的非穿通技术,提供了良好的短路耐受能力和热稳定性,从而增强了器件在恶劣工作条件下的可靠性。
该器件的栅极电荷(Qg)为80nC,属于中等水平,适合用于高频开关应用,尽管在极高频率下可能需要更强的栅极驱动能力。TO-247封装不仅提供了良好的散热性能,还便于安装在散热片上,以提高热管理效率。HGTP20N60C3R还具有较低的漏电流和优异的雪崩能量耐受能力,进一步增强了其在高应力工作环境下的稳健性。
HGTP20N60C3R广泛应用于各类高功率电源系统中。常见应用包括开关电源(SMPS)、直流-直流转换器、功率因数校正(PFC)模块、LED照明驱动器、电机控制和变频器系统。由于其高耐压和良好的导通性能,该器件特别适合用于离线电源设计,如家用电器、工业自动化设备和通信基础设施中的电源模块。此外,它也可用于太阳能逆变器、电动车充电器等需要高效率和高可靠性的新能源系统。
STP20N60FI, FQA20N60, IRFPC50, FGL40N60