HGTP20N60C3R 时间：2025/8/25 2:54:32 阅读：28

HGTP20N60C3R是一款高压、高速N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由ON Semiconductor（安森美半导体）制造。这款MOSFET适用于需要高效率和高可靠性的电源应用，例如开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、照明镇流器和电机控制电路。该器件采用先进的非穿通（Non-Punch-Through）技术，具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性。HGTP20N60C3R封装为TO-247，便于散热和在高功率应用中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：20A
　　最大漏-源电压（VDS）：600V
　　最大栅-源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.25Ω（最大）
　　栅极电荷（Qg）：80nC（典型）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装：TO-247

特性

HGTP20N60C3R具有多项优良特性，使其适用于高性能电源设计。首先，其高耐压能力（600V VDS）使得该器件适用于各种高压电源应用，如AC-DC转换器和功率因数校正（PFC）电路。其次，导通电阻较低（最大0.25Ω），有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。此外，该MOSFET采用了先进的非穿通技术，提供了良好的短路耐受能力和热稳定性，从而增强了器件在恶劣工作条件下的可靠性。
　　该器件的栅极电荷（Qg）为80nC，属于中等水平，适合用于高频开关应用，尽管在极高频率下可能需要更强的栅极驱动能力。TO-247封装不仅提供了良好的散热性能，还便于安装在散热片上，以提高热管理效率。HGTP20N60C3R还具有较低的漏电流和优异的雪崩能量耐受能力，进一步增强了其在高应力工作环境下的稳健性。

应用

HGTP20N60C3R广泛应用于各类高功率电源系统中。常见应用包括开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、功率因数校正（PFC）模块、LED照明驱动器、电机控制和变频器系统。由于其高耐压和良好的导通性能，该器件特别适合用于离线电源设计，如家用电器、工业自动化设备和通信基础设施中的电源模块。此外，它也可用于太阳能逆变器、电动车充电器等需要高效率和高可靠性的新能源系统。