时间：2025/12/29 14:59:17
阅读：16
HGTP20N35G3VL 是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的高功率IGBT（绝缘栅双极型晶体管）器件，广泛应用于高电压和高电流场合，如工业电机控制、电源转换系统和可再生能源系统等。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降的优点，具有优异的开关性能和导通能力。
类型：IGBT
最大集电极-发射极电压（VCES）：350V
额定集电极电流（IC）：20A
最大栅极-发射极电压（VGE）：±20V
导通压降（VCEsat）：典型值2.1V（在IC=20A时）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-247
HGTP20N35G3VL 具备多项优异特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其最大集电极-发射极电压为350V，能够承受较高的电压应力，适用于中高功率的DC-AC逆变器、UPS系统以及电机驱动应用。其次，该IGBT的额定集电极电流为20A，可支持较大负载的稳定运行。
导通压降（VCEsat）是IGBT性能的重要指标之一，HGTP20N35G3VL在IC=20A时的典型导通压降为2.1V，这有助于降低导通损耗，提高整体系统的效率。此外，该器件的最大栅极-发射极电压为±20V，确保在各种驱动条件下器件的稳定性。
该IGBT采用先进的沟槽栅和场截止技术（Field Stop Technology），优化了开关损耗，减少了导通压降，并提高了短路耐受能力。其工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于严苛的工业环境。TO-247封装形式不仅便于安装和散热管理，还提高了器件在高功率密度设计中的适用性。
综上所述，HGTP20N35G3VL凭借其高电压能力、低导通压降、优异的开关特性和宽温度范围，成为工业电源、逆变器、焊接设备和电机控制等应用中的理想选择。
HGTP20N35G3VL 广泛应用于多个高功率电子系统，包括工业电机驱动器、变频器、不间断电源（UPS）、电焊机、太阳能逆变器、感应加热设备以及电动车辆的电力系统。由于其具备良好的开关性能和热稳定性，也常用于需要高效率和高可靠性的电源转换系统中。
FGA20N35ANTD, IKW20N35CS6, STGY20NC35K3AG
