HGTP1N120CN 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)制造的高电压、高频率、N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件专为高性能开关应用而设计,适用于高效率电源转换系统。HGTP1N120CN 采用先进的平面工艺制造,具有优异的热稳定性和低导通电阻,适用于1200V的漏源电压(VDS)和高电流负载场景。该器件常用于工业电源、逆变器、UPS系统和高功率电源管理设备中。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):1200V
栅源电压(VGS):±30V
漏极电流(ID)@25°C:1.5A
漏极电流(ID)@100°C:0.9A
导通电阻(RDS(on)):1.8Ω(最大)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:TO-220
功率耗散(PD):40W
栅极电荷(Qg):35nC
输入电容(Ciss):1050pF
反向恢复时间(trr):150ns
HGTP1N120CN 的设计采用了先进的平面MOSFET制造技术,具有低导通电阻和高击穿电压的特点,这使其在高压应用中表现出色。该器件的高VDS额定电压(1200V)使其适用于高电压开关系统,同时具备良好的雪崩能量承受能力,增强了器件的可靠性和耐久性。其低RDS(on)值(最大1.8Ω)减少了导通损耗,提高了电源转换效率。
此外,该MOSFET具备良好的热稳定性,能够在高工作温度下保持稳定性能。其TO-220封装形式具有良好的散热性能,适合用于高功率密度的电源设计中。HGTP1N120CN 的栅极驱动要求较低,兼容常见的10V至15V驱动电路,便于与各种控制IC集成使用。
该器件的快速开关特性(trr为150ns)减少了开关损耗,适用于高频开关应用。同时,其较低的输入电容(Ciss为1050pF)降低了驱动电路的负担,提升了整体系统的响应速度和效率。
HGTP1N120CN 主要应用于需要高压开关能力的电源系统中,包括工业电源、不间断电源(UPS)、逆变器、电机驱动器、太阳能逆变器、LED照明驱动电源、开关电源(SMPS)以及高压直流电源转换系统等。其高耐压和低导通电阻的特性使其特别适用于高效率、高功率密度的电源转换设计。
在太阳能逆变器中,HGTP1N120CN 可用于DC-AC转换环节,提供高效的功率转换能力;在工业电源系统中,该器件可用于实现高效的DC-DC或AC-DC转换;在UPS系统中,它可用于实现高速切换和稳定的输出电压控制。此外,在电机控制应用中,该MOSFET可用于实现高效的H桥驱动电路,提升电机的控制精度和效率。
STP1N120-12A, FGL4N120AND, FDPF1N120