时间：2025/8/25 0:34:53
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HGTP1N120CN 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的高电压、高频率、N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高性能开关应用而设计，适用于高效率电源转换系统。HGTP1N120CN 采用先进的平面工艺制造，具有优异的热稳定性和低导通电阻，适用于1200V的漏源电压（VDS）和高电流负载场景。该器件常用于工业电源、逆变器、UPS系统和高功率电源管理设备中。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：1200V
栅源电压（VGS）：±30V
漏极电流（ID）@25°C：1.5A
漏极电流（ID）@100°C：0.9A
导通电阻（RDS(on)）：1.8Ω（最大）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-220
功率耗散（PD）：40W
栅极电荷（Qg）：35nC
输入电容（Ciss）：1050pF
反向恢复时间（trr）：150ns
HGTP1N120CN 的设计采用了先进的平面MOSFET制造技术，具有低导通电阻和高击穿电压的特点，这使其在高压应用中表现出色。该器件的高VDS额定电压（1200V）使其适用于高电压开关系统，同时具备良好的雪崩能量承受能力，增强了器件的可靠性和耐久性。其低RDS(on)值（最大1.8Ω）减少了导通损耗，提高了电源转换效率。
此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，能够在高工作温度下保持稳定性能。其TO-220封装形式具有良好的散热性能，适合用于高功率密度的电源设计中。HGTP1N120CN 的栅极驱动要求较低，兼容常见的10V至15V驱动电路，便于与各种控制IC集成使用。
该器件的快速开关特性（trr为150ns）减少了开关损耗，适用于高频开关应用。同时，其较低的输入电容（Ciss为1050pF）降低了驱动电路的负担，提升了整体系统的响应速度和效率。
HGTP1N120CN 主要应用于需要高压开关能力的电源系统中，包括工业电源、不间断电源（UPS）、逆变器、电机驱动器、太阳能逆变器、LED照明驱动电源、开关电源（SMPS）以及高压直流电源转换系统等。其高耐压和低导通电阻的特性使其特别适用于高效率、高功率密度的电源转换设计。
在太阳能逆变器中，HGTP1N120CN 可用于DC-AC转换环节，提供高效的功率转换能力；在工业电源系统中，该器件可用于实现高效的DC-DC或AC-DC转换；在UPS系统中，它可用于实现高速切换和稳定的输出电压控制。此外，在电机控制应用中，该MOSFET可用于实现高效的H桥驱动电路，提升电机的控制精度和效率。
STP1N120-12A, FGL4N120AND, FDPF1N120
