时间：2025/8/25 7:29:03
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HGTP15N50E1是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）制造的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和各种高功率电子设备中。该MOSFET具有高耐压、低导通电阻和良好的热性能，适用于需要高效率和高可靠性的场合。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（VDS）：500V
最大漏极电流（ID）：15A（在25°C）
导通电阻（RDS(on)）：0.44Ω（最大值）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2V至4V
最大栅极电压：±30V
最大功耗（PD）：125W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-220
HGTP15N50E1具备多项优良特性，适用于高功率应用。首先，其最大漏源电压可达500V，使其适用于高压环境，如开关电源和功率因数校正电路。其次，漏极电流最大为15A，在适当的散热条件下可支持更高电流的应用，适用于电机驱动和DC-DC转换器等场景。该MOSFET的导通电阻最大为0.44Ω，有助于降低导通损耗，提高整体效率。此外，HGTP15N50E1的栅极阈值电压范围为2V至4V，使得其易于被常见的驱动电路控制，如微控制器或专用驱动IC。该器件的最大功耗为125W，结合TO-220封装的优良散热性能，能够在高功率密度应用中保持稳定运行。其工作温度范围宽广，从-55°C至+150°C，适用于各种工业和汽车环境。该器件还具备良好的雪崩能量承受能力，提高了在高压突波环境下的可靠性。
HGTP15N50E1主要用于各类高功率电子系统中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机控制电路、照明镇流器、工业自动化设备和电动汽车充电模块等。在这些应用中，该MOSFET能够高效地进行电能转换和控制，同时保持良好的稳定性和可靠性。
STP15N50U, FQA15N50, IRFP460, HGTG15N50E
