HGTP15N50C1 时间：2025/12/29 14:39:18 阅读：11

HGTP15N50C1是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的高电压、高电流N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-247封装，适用于需要高效率和高可靠性的功率转换应用。HGTP15N50C1的漏源击穿电压为500V，最大连续漏极电流为15A，适用于各种电源管理电路。该MOSFET具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，使其在电源供应器、马达控制和DC-DC转换器等应用中表现出色。

参数

漏源击穿电压(Vds)：500V
　　最大连续漏极电流(Id)：15A
　　栅极阈值电压(Vgs(th))：2V ~ 4V
　　漏源导通电阻(Rds(on))：0.44Ω
　　最大功率耗散(Pd)：200W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-247

特性

HGTP15N50C1的主要特性包括其高耐压能力和较大的电流承载能力，使其非常适合用于高功率应用。该MOSFET的低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，其快速的开关特性有助于减少开关损耗，提高整体性能。
　　该器件采用了先进的平面技术，确保了稳定性和可靠性。TO-247封装提供了良好的散热性能，能够有效将热量传导到散热片，从而保持MOSFET在高负载条件下的稳定运行。
　　HGTP15N50C1还具备出色的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定工作，从而提高系统的鲁棒性。此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V至20V驱动电路，适用于多种控制方案。

应用

HGTP15N50C1广泛应用于各种电力电子系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器、马达驱动器、逆变器以及工业自动化控制系统。由于其高耐压和大电流能力，它也常用于需要高效率功率转换的太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统。
　　在电源供应器中，HGTP15N50C1可作为主开关器件，用于实现高效的能量转换。在马达控制应用中，它可用于H桥电路，实现正反转控制和调速功能。在DC-DC转换器中，该MOSFET可用于升压（Boost）或降压（Buck）电路，提供稳定的电压输出。
　　此外，HGTP15N50C1也适用于需要高频开关的射频功率放大器和电子负载系统，能够满足多种高性能应用的需求。