时间：2025/12/29 15:11:56
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HGTP14N36G3VL 是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）推出的高功率绝缘栅双极型晶体管（IGBT），主要用于高电压和高电流应用，如工业电机驱动、电源逆变器、感应加热和太阳能逆变器等。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗特性和双极型晶体管的低导通压降特性，具有优异的开关性能和热稳定性。
类型：IGBT
最大集电极-发射极电压（VCES）：360V
最大集电极电流（IC）：14A
最大工作温度：150°C
短路耐受能力：有
导通压降（VCE_sat）：约1.65V（典型值）
输入电容（Cies）：约1900pF
输出电容（Coes）：约330pF
反向恢复时间（trr）：约150ns
封装形式：TO-247
HGTP14N36G3VL 具有优异的导通和开关性能，能够在高电压和高电流环境下稳定运行。其先进的沟道技术提供了更低的导通压降，从而减少了导通损耗。此外，该器件具有良好的短路耐受能力，提高了系统的可靠性和稳定性。
这款IGBT的封装采用TO-247标准封装，便于散热和安装，适用于多种高功率应用。其栅极驱动要求相对较低，能够与常见的驱动电路兼容，简化了设计和应用过程。
此外，HGTP14N36G3VL 还具有较高的工作温度耐受性，可以在恶劣环境下保持稳定运行，适用于高温工作条件下的工业控制和电源系统。该器件的反向恢复特性优秀，有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。
HGTP14N36G3VL 主要应用于工业电机控制、电源逆变器、UPS不间断电源、感应加热设备、太阳能逆变器以及各种高功率开关电源系统。由于其出色的开关性能和稳定性，也常用于电动汽车充电设备、变频器和工业自动化控制系统中。
FGA15N360，IRG4PH40UD，STGY10NC360VD
