HGTP12N60C3DLS是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的高压高功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高电压和高电流应用。该器件采用先进的MOSFET技术,具有较低的导通电阻和快速的开关特性,适用于电源转换、电机控制和工业自动化等应用。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):600V
最大漏极电流(Id):12A
导通电阻(Rds(on)):0.48Ω
栅极电荷(Qg):34nC
封装类型:TO-220
工作温度范围:-55°C至150°C
HGTP12N60C3DLS具有优异的导通和开关性能,适用于高频开关应用。其低导通电阻减少了导通损耗,提高系统效率。此外,该MOSFET内置快速恢复二极管(FRD),可简化电路设计并减少外部元件数量。该器件还具有良好的热稳定性和高可靠性,适用于恶劣的工作环境。
该MOSFET采用先进的制造工艺,确保在高电压和高电流条件下仍能保持稳定的性能。其快速开关特性有助于减少开关损耗,提高电源转换效率。此外,TO-220封装提供了良好的散热性能,确保器件在高功率应用中的稳定性。
HGTP12N60C3DLS广泛应用于开关电源(SMPS)、电机驱动、逆变器、工业自动化设备、LED照明驱动电路以及消费类电子产品中的功率控制模块。该器件也常用于高电压直流(HVDC)转换系统和功率因数校正(PFC)电路。
STP12N60M5, FQA12N60C, IRFPC60W