时间：2025/8/24 20:31:49
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HGTP12N60C3DLS是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的高压高功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电压和高电流应用。该器件采用先进的MOSFET技术，具有较低的导通电阻和快速的开关特性，适用于电源转换、电机控制和工业自动化等应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：600V
最大漏极电流（Id）：12A
导通电阻（Rds(on)）：0.48Ω
栅极电荷（Qg）：34nC
封装类型：TO-220
工作温度范围：-55°C至150°C
HGTP12N60C3DLS具有优异的导通和开关性能，适用于高频开关应用。其低导通电阻减少了导通损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET内置快速恢复二极管（FRD），可简化电路设计并减少外部元件数量。该器件还具有良好的热稳定性和高可靠性，适用于恶劣的工作环境。
该MOSFET采用先进的制造工艺，确保在高电压和高电流条件下仍能保持稳定的性能。其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高电源转换效率。此外，TO-220封装提供了良好的散热性能，确保器件在高功率应用中的稳定性。
HGTP12N60C3DLS广泛应用于开关电源（SMPS）、电机驱动、逆变器、工业自动化设备、LED照明驱动电路以及消费类电子产品中的功率控制模块。该器件也常用于高电压直流（HVDC）转换系统和功率因数校正（PFC）电路。
STP12N60M5, FQA12N60C, IRFPC60W
