时间：2025/8/25 6:35:51
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HGTP10N50C1是一款由ON Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件具有高耐压、低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种高效率电源设计。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：500V
漏极电流(Id)：10A
导通电阻(Rds(on))：0.54Ω
栅极电压(Vgs)：±30V
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-220
HGTP10N50C1的主要特性包括低导通电阻，能够减少功率损耗，提高系统效率。其高耐压特性使其适用于高电压环境，如电源适配器和马达控制电路。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定运行。器件的快速开关特性有助于减少开关损耗，提高整体系统性能。采用TO-220封装形式，便于散热和安装，适用于各种功率应用场合。
在应用中，HGTP10N50C1表现出优异的耐用性和稳定性，能够承受较大的电流和电压应力，适用于高要求的工业和消费类电子产品。其紧凑的设计和高效能特性使其成为电源管理领域的理想选择。
HGTP10N50C1常用于电源转换器、DC-AC逆变器、马达驱动电路、电池充电器和各种高电压功率电子设备。其高耐压和低导通电阻特性使其在高效电源管理应用中表现出色。
IRF840, STP10NK50Z, FQA10N50
