时间：2025/8/24 23:38:19
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HGTN30N60A4D 是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）制造的高功率N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的非穿通（Non-Punch-Through）技术，具有较低的导通电阻和开关损耗，适用于高效率的电源系统。HGTN30N60A4D 采用TO-247封装，适用于高功率密度设计。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：30A
最大漏源电压（VDS）：600V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.25Ω
栅极电荷（Qg）：约70nC
最大工作温度：150°C
封装形式：TO-247
HGTN30N60A4D MOSFET具备多项优异的电气和热性能。其非穿通（NPT）结构确保了在高温下仍具有稳定的开关特性，提高了器件的可靠性。该器件的导通电阻较低，有助于减少导通损耗，提高电源转换效率。此外，HGTN30N60A4D的栅极电荷（Qg）较低，使得开关损耗也显著降低，适用于高频开关应用。
该MOSFET还具备优良的热阻性能，TO-247封装有助于快速散热，从而提高器件在高负载条件下的稳定性。其内置的快速恢复二极管（A4D版本）可以有效减少反向恢复损耗，适用于需要快速切换的应用场景。此外，该器件符合RoHS环保标准，适合绿色电子产品的设计需求。
HGTN30N60A4D 主要用于各种高功率电源转换系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制、逆变器和不间断电源（UPS）等应用。由于其具备良好的导通和开关性能，特别适用于工业自动化设备、服务器电源、太阳能逆变器以及电动汽车充电系统等对效率和可靠性要求较高的场景。此外，内置的快速恢复二极管使其在桥式电路和谐振转换器中表现出色。
STW34N60W, FGL40N60SFD, IXFH30N60P
