时间：2025/8/25 6:33:52
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HGTH20N50E1是一款高功率N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由东芝（Toshiba）公司生产，适用于高电压和高电流的应用场景。该器件具有低导通电阻、高耐压能力以及良好的热稳定性，使其在电源管理、电机控制和工业自动化等领域得到广泛应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：20A
最大漏-源电压：500V
导通电阻（Rds(on)）：0.23Ω
栅极电压范围：±20V
功率耗散：150W
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
HGTH20N50E1具备多项优异的电气和物理特性，首先是其低导通电阻，这使得在导通状态下能够减少功率损耗，提高系统效率。其次是其高耐压能力，最大漏-源电压达到500V，能够应对高电压工作环境，同时具备良好的雪崩击穿能力，增强了器件的可靠性。
此外，该MOSFET采用了先进的封装技术，TO-247封装形式不仅提供了良好的散热性能，还能有效保护内部芯片免受外界环境的影响。其高功率耗散能力（150W）也意味着在高负载条件下仍能稳定运行。
在驱动方面，该器件的栅极电压范围为±20V，具有较强的抗过压能力，同时其栅极电荷较低，有助于提高开关速度，减少开关损耗。这些特性使得HGTH20N50E1特别适合用于高频开关应用，如DC-DC转换器、AC-DC电源和电机驱动器。
HGTH20N50E1广泛应用于各类高功率电子设备中，例如开关电源（SMPS）、工业电机驱动、逆变器、不间断电源（UPS）、LED照明系统以及电动车充电器等。其优异的性能使其成为高性能电源转换和控制系统的理想选择。在工业自动化领域，该器件常用于变频器和伺服驱动器中，提供高效的功率控制解决方案。此外，在新能源应用如太阳能逆变器和储能系统中，HGTH20N50E1也能发挥重要作用。
2SK2647, IRFHEXFET系列如IRF840, STP20N50
