类型：MOSFET
　　沟道类型：N-Channel
　　漏源电压 Vds：1200V
　　栅源电压 Vgs：±30V
　　连续漏极电流 Id：5A
　　工作温度：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TO-220
　　导通电阻 Rds(on)：典型值 3.0Ω
　　功率耗散 Pd：100W
　　输入电容 Ciss：典型值 60pF
　　反向恢复时间 trr：典型值 500ns

HGTG5N120BD 的核心特性之一是其高达 1200V 的漏源电压（Vds）能力，这使其非常适合用于高电压开关应用。此外，该器件具备较低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低导通损耗，提高系统效率。其 ±30V 的栅源电压（Vgs）范围允许在较为苛刻的工作条件下稳定运行，增强了器件的可靠性。
　　另一个重要特性是其热稳定性良好，TO-220 封装具备良好的散热性能，适合在中高功率密度设计中使用。该 MOSFET 还具有快速开关能力，有助于减少开关损耗，提高整体能效。同时，其输入电容较小，使得驱动电路更易设计，适用于高频开关环境。
　　HGTG5N120BD 内部结构采用了优化的硅芯片技术，提供了良好的短路耐受能力，并在极端工作条件下保持稳定的性能。此外，该器件具有较低的漏电流，在高温环境下仍能保持较低的静态功耗。

HGTG5N120BD 主要用于需要高电压耐受能力和较高开关频率的功率电子系统中。例如，它广泛应用于 AC-DC 和 DC-DC 功率转换器中，如开关电源（SMPS）、LED 驱动器、高压照明系统、光伏逆变器以及工业电机控制电路。
　　由于其高电压耐受性，该器件也常用于需要隔离和高压开关的家电产品中，如微波炉、电饭煲和高压清洗设备中的电源管理模块。此外，HGTG5N120BD 在电动汽车（EV）充电器、电池管理系统（BMS）中的 DC-DC 转换器中也有应用。
　　在工业自动化领域，该 MOSFET 可用于伺服电机控制、变频器和不间断电源（UPS）等关键模块中，提供可靠的高压开关功能。

STW5N120, IRGPC50K, FGH5N120SMD, FQA5N120