时间：2025/4/28 20:10:25
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HGTG40N60B3 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等场景。该器件采用 TO-247 封装形式，具有较低的导通电阻和较高的耐压能力，能够满足高效率电力转换需求。
其主要特点是具备快速开关性能和优秀的热稳定性，适用于多种工业及消费类电子应用领域。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：40A
导通电阻（典型值）：150mΩ
栅极电荷：120nC
总电容：3000pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
HGTG40N60B3 的核心优势在于其高耐压能力和低导通电阻设计，能够在大电流条件下提供高效的电力传输，并且支持高频开关操作。此外，该器件还具备以下特点：
1. 高击穿电压（600V），确保在恶劣环境下的稳定运行。
2. 较低的导通电阻（150mΩ 典型值），. 快速开关性能，降低开关损耗。
4. 优异的热稳定性，允许更宽的工作温度范围（-55℃ 至 +175℃）。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅工艺制造。
HGTG40N60B3 主要用于需要高效功率转换的场景，包括但不限于以下应用：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 工业电机驱动控制电路中的功率级元件。
3. 逆变器系统中实现 DC-AC 转换的关键组件。
4. 太阳能微逆变器和其他可再生能源设备中的功率开关。
5. 各种工业自动化设备中的负载切换和保护功能。
由于其出色的电气特性和可靠性，这款 MOSFET 成为许多高压、大电流应用的理想选择。
HGTG40N60B3D, IRFP460, STP40NF60
