类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：1000V
　　漏极电流（Id）：34A（在25°C）
　　Rds(on)：典型值0.18Ω（最大0.22Ω）
　　栅极电荷（Qg）：约140nC
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-247
　　功率耗散（Pd）：200W

HGTG34N100E2具备多项优良特性，使其在高压和高功率应用场景中表现出色。首先，其漏源电压额定值高达1000V，使其适用于需要高耐压能力的电路设计。其次，该器件的导通电阻非常低，通常为0.18Ω，最大不超过0.22Ω，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。
　　此外，HGTG34N100E2具有较高的电流承载能力，其连续漏极电流可达34A，在高负载条件下仍能稳定运行。该MOSFET还具有快速开关特性，减少了开关损耗，提高了整体系统响应速度。
　　该器件采用TO-247封装，具有良好的散热性能，适用于高功率密度设计。同时，其工作温度范围宽，可在-55°C至150°C之间正常工作，适用于严苛环境条件下的应用。
　　此外，该MOSFET具有内置快速恢复二极管（FRD），可减少外部元件数量，简化电路设计，并提升整体系统的可靠性。

HGTG34N100E2广泛应用于各种高功率电子系统中。例如，在电源供应器（PSU）中，该MOSFET可用于高效率的DC-DC转换器和AC-DC转换器，以提高能源利用效率。在电机控制应用中，它可用于逆变器桥式电路，实现对交流电机的精确控制。
　　此外，该器件还可用于太阳能逆变器系统，将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电供家庭或电网使用。在不间断电源（UPS）系统中，HGTG34N100E2可作为主开关元件，确保在电源故障时能够迅速切换至备用电源。
　　由于其高耐压和高电流能力，HGTG34N100E2也适用于感应加热、电焊设备和工业自动化系统等高功率应用场合。

SGH80N100UFD、IRGPC40K、STW12NK100Z、FGL40N100AMT