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HGTG30N60A4 发布时间 时间:2025/5/22 17:06:07 查看 阅读:16

HGTG30N60A4是一种N沟道增强型功率MOSFET,属于高压功率器件。该型号采用TO-220封装形式,适用于多种高电压、大电流的应用场景。它具有低导通电阻、高击穿电压以及快速开关速度等特性,能够有效降低功耗并提升系统效率。
  这款MOSFET适合用在电源管理领域,例如开关电源(SMPS)、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率转换的场合。

参数

最大漏源电压:600V
  连续漏极电流:7.1A
  导通电阻:2.8Ω(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷:25nC(容:940pF
  总功耗:140W
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

HGTG30N60A4具备以下主要特性:
  1. 高击穿电压(600V),使其适用于高电压环境下的应用。
  2. 极低的导通电阻,减少导通状态下的功率损耗。
  3. 快速开关性能,支持高频操作,有助于提高整体系统的效率。
  4. 强大的过流保护能力,增强器件在异常条件下的稳定性。
  5. 符合RoHS标准,绿色环保。
  6. TO-220封装,便于安装和散热设计。

应用

HGTG30N60A4广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)及适配器。
  2. DC-DC转换器,用于电压调节和稳定输出。
  3. 电机驱动电路,控制电机的速度与方向。
  4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  5. 照明镇流器及电子负载模拟。
  6. 各类家用电器中的功率管理单元。

替代型号

IRFZ44N, STP30NF60, FQP27P06

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HGTG30N60A4参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装150
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列-
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.6V @ 15V,30A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)75A
  • 功率 - 最大463W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-3P-3,SC-65-3
  • 供应商设备封装TO-247AD
  • 包装管件
  • 其它名称HGTG30N60A4_NLHGTG30N60A4_NL-ND