HGTG20N100D2 是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)推出的高电压、高电流双极型晶体管(IGBT,绝缘栅双极型晶体管),专门设计用于高功率应用。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗特性和双极型晶体管的低导通压降优势,具有出色的导通性能和开关特性。HGTG20N100D2适用于工业电机控制、电源变换、电焊机、感应加热和UPS(不间断电源)等高功率电子系统。
类型:IGBT
最大集电极-发射极电压(VCES):1000 V
最大集电极电流(IC):20 A
最大工作温度:150°C
导通压降(VCE_sat):约2.8 V(典型值)
输入电容(Cies):约2600 pF
封装形式:TO-247
栅极驱动电压:+15 V / -5 V至-15 V
HGTG20N100D2 具有以下显著特性:
1. 高电压耐受能力:最大集电极-发射极电压(VCES)可达1000V,使其适用于高电压应用场景,如变频器、电源转换器等。
2. 高电流承载能力:额定集电极电流为20A,具备良好的热稳定性和过载能力,适合高功率密度设计。
3. 低导通压降:典型导通压降(VCE_sat)为2.8V,降低了导通损耗,提高了系统效率。
4. 快速开关特性:该IGBT优化了开关速度,减少了开关损耗,适合高频开关应用。
5. 热性能优越:采用TO-247封装,具有良好的散热能力,确保在高功率运行下的稳定性。
6. 集成反向并联二极管:内置快速恢复二极管(FRD),可简化外部电路设计并提高系统可靠性。
7. 宽工作温度范围:支持从-55°C到+150°C的工作温度范围,适用于各种工业环境。
8. 高短路耐受能力:具备良好的短路保护特性,提高系统在异常工况下的稳定性。
HGTG20N100D2 广泛应用于多个高功率电子系统中,主要包括:
1. 工业电机驱动和变频器:用于交流电机控制,提供高效的功率转换。
2. 电焊机电源:其高电压和高电流能力适合用于逆变式电焊机的功率开关。
3. 感应加热系统:作为高频电源的开关元件,实现高效的能量转换。
4. 不间断电源(UPS):用于逆变器部分,将直流电源转换为稳定的交流输出。
5. 太阳能逆变器:适用于将光伏阵列的直流输出转换为交流电并入电网。
6. 电力电子变换器:包括DC-AC逆变器、AC-DC整流器等,适用于各种工业自动化和电力控制设备。
7. 电动车辆充电系统:作为功率开关用于电动汽车充电器的电源管理模块。
SGW25N100FDK, FGA25N100ANTD, FGH20N100SMD, FGH25N100SMD