HGTG18N120是一款高电压、高电流的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由ON Semiconductor(安森美半导体)生产。这款MOSFET采用了先进的沟槽栅极技术,具有低导通电阻(Rds(on))和高耐压能力,适用于需要高效功率转换的应用。HGTG18N120采用TO-247封装,适用于高功率密度和高效率的设计。其主要优势在于其低开关损耗和导通损耗,使其在高频开关应用中表现优异。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极-源极电压(Vds):1200V
最大连续漏极电流(Id):18A
导通电阻(Rds(on)):0.38Ω
最大功耗(Ptot):200W
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:TO-247
栅极电荷(Qg):85nC
输入电容(Ciss):1950pF
HGTG18N120的主要特性之一是其出色的导通和开关性能,这得益于其先进的沟槽栅极技术和优化的芯片设计。它的低导通电阻(Rds(on))为0.38Ω,使得在高电流应用中导通损耗大大降低,从而提高了整体效率。此外,其高耐压能力(1200V)使其适用于高电压应用,如工业电源、电机驱动和逆变器。
该MOSFET还具有良好的热稳定性,TO-247封装提供了良好的散热性能,确保在高功率工作条件下仍能保持稳定运行。其最大连续漏极电流为18A,适用于中高功率应用。此外,HGTG18N120的栅极电荷(Qg)为85nC,属于中等水平,使其在高频开关应用中表现良好,降低了开关损耗。
该器件的另一个重要特性是其输入电容(Ciss)为1950pF,这一参数对于高频应用中的栅极驱动电路设计至关重要。此外,其最大功耗为200W,表明其在高功率环境下仍能保持良好的性能和可靠性。
HGTG18N120广泛应用于高电压和高功率场合,例如工业电源、UPS(不间断电源)、电机驱动器、逆变器、太阳能逆变器以及各类高电压开关电源。由于其高耐压能力和低导通电阻,HGTG18N120非常适合用于DC-AC逆变器、DC-DC转换器和功率因数校正(PFC)电路。
在工业自动化和电机控制应用中,HGTG18N120可以用于H桥电路,实现高效率的电机驱动。此外,在新能源领域,如太阳能逆变器中,该MOSFET可以用于高效能的功率转换模块,提高整体系统的能源利用率。
该器件也适用于需要高可靠性和高稳定性的应用,如医疗设备电源、测试仪器和通信设备中的电源模块。
HGTG18N120的替代型号包括HGTG18N120BND(具有更优的导通电阻和热性能)、IXGH18N120(来自IXYS公司,具有类似的电气参数)以及IRGPC50UD(来自Infineon,适用于1200V应用的IGBT,具有较高的电流处理能力)。