时间：2025/5/12 17:33:05
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HGTG12N60C3D 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET，采用 Trench 技术制造。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，适用于高频开关应用。其额定电压为 600V，能够承受较高的瞬态电压，同时具备出色的耐用性和可靠性。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：12A
导通电阻：150mΩ
栅极电荷：48nC
输入电容：1740pF
开关频率：高达 1MHz
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-247
HGTG12N60C3D 具有低导通电阻，能够显著降低传导损耗，从而提高效率。其快速开关特性使得它非常适合高频应用，例如开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等。此外，该器件还具有较低的栅极电荷和输出电容，进一步优化了开关性能。
通过采用先进的 Trench 工艺，HGTG12N60C3D 在确保高耐压能力的同时，还保持了较小的芯片尺寸，提升了功率密度。该产品还具有优异的雪崩能力和抗浪涌能力，能够在恶劣的工作条件下可靠运行。
HGTG12N60C3D 广泛应用于各种电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动和控制
4. 太阳能逆变器
5. 电动工具
6. 工业自动化设备
7. 不间断电源 (UPS) 系统
这些应用场景充分利用了 HGTG12N60C3D 的高效、高速和高可靠性特点。
HGTG12N60C3
HGTG12N60C3L
IRFP460
FDP12N60
