类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：600V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±30V
　　漏极电流（Id）：3A
　　导通电阻（Rds(on)）：2.2Ω（最大）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220
　　功率耗散（Pd）：50W
　　漏极-源极击穿电压（V(br)ds）：600V
　　栅极电荷（Qg）：18nC
　　输入电容（Ciss）：900pF
　　输出电容（Coss）：200pF
　　反向恢复时间（trr）：35ns

HGTD3N60C3D MOSFET具有多项优异的电气和机械特性，适用于高功率和高频率的应用。其主要特性包括：
　　1. **高电压能力**：该MOSFET的漏极-源极电压额定值为600V，能够在高压环境中稳定运行，适用于高电压转换器和电源模块。
　　2. **低导通电阻**：HGTD3N60C3D的最大导通电阻为2.2Ω，这意味着在导通状态下，MOSFET的功耗较低，有助于提高整体系统的效率。
　　3. **高频开关性能**：由于较低的栅极电荷（Qg为18nC）和输入电容（Ciss为900pF），该器件能够在高频条件下实现快速开关，适用于高频电源转换器和DC-DC变换器。
　　4. **高耐久性**：该MOSFET具有良好的热稳定性和耐用性，能够在-55°C至+150°C的工作温度范围内稳定运行，适用于苛刻的工业环境。
　　5. **紧凑的封装设计**：采用TO-220封装，HGTD3N60C3D在保证散热性能的同时，也具有较小的体积，适用于空间受限的设计。
　　6. **优秀的短路和过载保护能力**：由于其坚固的结构设计和内部保护机制，该MOSFET在短路或过载情况下能够提供更高的可靠性和稳定性。
　　7. **广泛应用兼容性**：HGTD3N60C3D适用于多种应用场景，包括电源适配器、LED驱动器、工业自动化设备和电机控制电路。

HGTD3N60C3D MOSFET因其优异的性能和可靠性，被广泛应用于多个领域，包括：
　　1. **电源转换器**：用于AC-DC和DC-DC转换器中，提供高效的电压转换能力。
　　2. **LED照明**：在LED驱动器中用于调节电流和电压，确保LED灯具的稳定运行。
　　3. **电机控制**：适用于无刷直流电机（BLDC）控制电路，提供高效的功率开关功能。
　　4. **工业自动化**：用于工业控制设备和自动化系统中，提供稳定的开关控制。
　　5. **家电设备**：如洗衣机、空调等家电中的电源管理和控制电路。
　　6. **可再生能源系统**：在太阳能逆变器和风力发电系统中，用于高效的能量转换和管理。

STP3NK60Z、IRFBC30、FQA3N60C、TK1A60D