HGTD3N60C3 时间：2025/8/24 14:23:47 阅读：7

HGTD3N60C3是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由东芝（Toshiba）生产。该器件适用于高电压和高功率应用场景，具备优良的导通和开关性能，广泛用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和工业自动化系统等领域。HGTD3N60C3采用先进的沟槽栅极技术，以降低导通电阻并提升整体效率。该MOSFET的封装形式通常为TO-220或类似的大功率封装，以提供良好的散热性能。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(Vds)：600V
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　连续漏极电流(Id)：3A（在25°C）
　　导通电阻(Rds(on))：约2.2Ω（最大）
　　功耗(Pd)：50W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220

特性

HGTD3N60C3的主要特性之一是其高耐压能力，漏源电压额定值为600V，使其适用于高电压输入的应用场景，如AC-DC电源转换器。此外，该器件具有较低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。HGTD3N60C3采用先进的沟槽式栅极结构，优化了电场分布，降低了开关损耗，并提高了器件的可靠性和稳定性。
　　该MOSFET具备良好的热稳定性，TO-220封装提供了有效的散热路径，使其能够在高功率密度环境下稳定运行。栅极驱动电压范围宽，支持常见的10V至15V驱动电压，便于与多种控制电路（如PWM控制器或微控制器）配合使用。
　　另一个关键特性是其出色的短路和过载保护能力，能够在异常工作条件下提供一定程度的鲁棒性。此外，HGTD3N60C3在高温环境下的性能衰减较小，适合用于工业级和汽车电子应用。

应用

HGTD3N60C3广泛应用于各种高电压和高功率电子系统中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器和电池管理系统。由于其高电压额定值和较低的导通损耗，它也常用于LED照明驱动电路、功率因数校正（PFC）电路以及工业自动化设备中的功率控制模块。此外，该器件还可用于消费类电子产品中的电源管理单元，如电视、机顶盒和家用电器中的电源系统。