时间：2025/8/25 6:17:27
阅读：12
HGTD1N120B是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高电压、高频率的开关应用。这款MOSFET采用了先进的沟槽式技术，提供了优异的导通电阻和开关性能，使其在电源转换器、DC-DC转换器、电机控制和照明系统等应用中表现出色。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(VDS)：1200V
栅源电压(VGS)：±20V
漏极电流(ID)：1.2A
导通电阻(RDS(on))：1.2Ω（最大）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-220
功率耗散(PD)：40W
输入电容(Ciss)：65pF（典型值）
输出电容(Coss)：20pF（典型值）
反向传输电容(Crss)：5pF（典型值）
短路耐受能力：具备
雪崩能量额定值：具备
HGTD1N120B具有低导通电阻的特点，使其在导通状态下能够有效降低功率损耗，提高系统效率。其1200V的漏源击穿电压适合用于高电压应用场景，例如工业电源、照明驱动和电机控制。此外，该器件具备出色的开关特性，减少了开关过程中的能量损耗，提升了整体性能。
该MOSFET采用了TO-220封装，具备良好的热管理和机械稳定性，能够在高功率工作条件下保持稳定运行。内置的短路耐受能力和雪崩能量额定值增强了器件在异常工作条件下的可靠性和耐用性。
栅极驱动电压范围为±20V，确保了栅极控制的稳定性，同时避免了因过高的栅极电压而导致的器件损坏。输入电容、输出电容和反向传输电容的数值较低，有助于减少高频开关时的寄生效应，提高开关速度和效率。
总体而言，HGTD1N120B是一款高性能功率MOSFET，特别适合需要高电压、高效率和高可靠性的电力电子应用。
HGTD1N120B广泛应用于各类电力电子系统，包括高电压DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、电机控制驱动器、工业自动化设备、LED照明系统以及高频开关电源等。其高耐压和低导通电阻特性使其在需要高效能和高可靠性的场合中表现出色。
SGH40N60UFDT、FGL40N120AND、STW43NM60N
