时间：2025/4/29 11:22:38
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HGT1S7N60A4DS9A是一款高性能的MOSFET功率晶体管，采用先进的制造工艺，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该器件具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，适用于要求高效率和高可靠性的电路设计。
这款MOSFET属于N沟道增强型，通过栅极电压控制漏极与源极之间的导通状态。其封装形式为TO-252（DPAK），具有良好的散热性能和紧凑的尺寸，便于在空间受限的应用中使用。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：4.3A
导通电阻：16mΩ
栅极电荷：9nC
总电容：840pF
工作结温范围：-55℃至175℃
1. 高击穿电压，确保在高压环境下稳定运行。
2. 极低的导通电阻，降低功耗并提高系统效率。
3. 快速开关性能，适合高频应用场合。
4. 小型化封装，节省PCB空间。
5. 宽温度范围支持，适应各种恶劣环境条件。
6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
1. 开关电源中的同步整流器。
2. 电机驱动电路中的功率级开关。
3. 负载切换和保护电路。
4. DC-DC转换器的核心开关元件。
5. LED照明驱动中的功率控制部分。
6. 工业自动化设备中的功率管理模块。
HGT1S7N60A4DS8A, IRFZ44N, FDP5800
