时间：2025/8/25 6:02:37
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HGT1S2N120BNS 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）推出的高性能、高电压、高电流能力的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）器件，适用于高功率开关应用。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗特性和双极型晶体管的低导通压降优势，广泛用于工业电机控制、电源转换、UPS系统、焊接设备和感应加热等应用。
类型：IGBT
最大集电极-发射极电压（VCES）：1200V
最大集电极电流（IC）：50A（Tc=25℃）
最大工作温度：150℃
导通压降（VCE_sat）：约2.1V（在IC=50A，VGE=15V）
输入电容（Cies）：约1600pF
短路耐受能力：有
封装形式：TO-247AC
HGT1S2N120BNS具备出色的导通和开关性能，能够在高电压和高电流条件下稳定工作。其导通压降较低，有助于减少功率损耗，提高系统效率。此外，该器件具有良好的短路耐受能力，提高了在异常工作条件下的可靠性。内置的快速恢复二极管也增强了其在高频开关应用中的适应能力。
HGT1S2N120BNS采用了先进的沟道型IGBT技术，优化了载流子分布，降低了开关损耗，并提升了热稳定性。其TO-247封装形式具有良好的散热性能，适用于需要高功率密度的设计。该器件还具备良好的抗电磁干扰（EMI）性能，适合在复杂电磁环境中使用。
HGT1S2N120BNS 主要用于各种高功率电子系统中，如工业变频器、电动机驱动器、不间断电源（UPS）、高频逆变器、电焊机、感应加热设备以及新能源系统中的功率变换模块。其高耐压和高电流承载能力使其特别适合用于1200V级的功率转换应用。
SGW25N120HD、FGA25N120ANTD、IKW25N120H3、STGY25NC120D
