时间：2025/8/24 8:11:33
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HGT1S14N41G3VLS 是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的高性能 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）芯片，广泛用于功率电子设备中。该器件结合了 MOSFET 的高输入阻抗和 BJTs 的低导通压降特性，适用于高频开关和大功率应用。HGT1S14N41G3VLS 特别设计用于节能型电源系统，如电机控制、逆变器、不间断电源（UPS）以及工业自动化设备。
类型：IGBT
最大集电极-发射极电压：410 V
最大集电极电流：14 A
最大工作温度：150 °C
封装类型：TO-220
导通压降：约 1.7 V @ 14 A
短路耐受能力：有
栅极驱动电压：±20 V
短路电流能力：高
HGT1S14N41G3VLS 具备多项先进特性，确保其在高要求环境下的稳定性和可靠性。其主要特性之一是具备短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的过载电流而不损坏，这使其特别适合于电机驱动和逆变器等应用场景。该 IGBT 还具有较低的导通压降，通常在额定电流下仅为 1.7 V，这有助于降低导通损耗并提高系统效率。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽（±20 V），便于与多种驱动电路兼容，提高了设计的灵活性。HGT1S14N41G3VLS 采用了先进的芯片技术和封装设计，确保了其在高温下的稳定工作，并具备良好的热稳定性，有助于延长设备寿命。
另一个关键特性是其具备良好的开关性能，能够实现快速开通和关断，从而降低开关损耗。这对于高频开关应用至关重要，有助于提高整体系统的效率和功率密度。同时，该 IGBT 的封装形式为 TO-220，这种封装方式具有良好的散热性能和机械强度，适用于多种安装环境。最后，HGT1S14N41G3VLS 符合 RoHS 环保标准，无铅且符合现代电子产品的环保要求。
HGT1S14N41G3VLS 主要用于需要高效功率转换和控制的系统中。其典型应用包括交流电机驱动器、伺服控制系统、不间断电源（UPS）、逆变器、电焊设备以及各种工业自动化设备。由于其具备高耐压、大电流和良好的短路保护能力，该 IGBT 也常用于新能源汽车的电控系统、太阳能逆变器以及储能系统等新兴领域。在这些应用中，HGT1S14N41G3VLS 能够有效提高系统效率，降低能耗，并增强系统的稳定性和可靠性。
SGW40N60WDT4, FGL40N120AND, FGA25N120ANTD
