时间：2025/8/1 22:07:25
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HGQ014N04B-G 是一款由Huguo（华冠）公司生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理、开关电源、电机控制、负载开关等应用领域。该器件具有低导通电阻、高耐压、高效率等优点，适用于中高功率的电子系统设计。HGQ014N04B-G 采用常见的TO-252（DPAK）封装形式，便于散热和焊接。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：40V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：140A（在Tc=25℃）
导通电阻（Rds(on)）：≤1.4mΩ（在Vgs=10V）
功耗（Pd）：100W
工作温度范围：-55℃～175℃
封装形式：TO-252（DPAK）
HGQ014N04B-G 是一款高性能的N沟道MOSFET，其主要特性包括低导通电阻、高电流承载能力和优异的热稳定性。该器件的Rds(on)典型值为1.4mΩ，在高电流应用中能够有效降低功率损耗，提高系统效率。其TO-252封装设计有助于快速散热，确保在高功率工作条件下的稳定性和可靠性。
此外，HGQ014N04B-G 的最大漏源电压为40V，栅源电压支持±20V，具有良好的电压耐受能力，适用于各种开关电源和DC-DC转换器设计。该MOSFET的连续漏极电流可达140A，适用于高电流负载场合，如电动工具、电动汽车系统、工业电机控制和高功率LED驱动等。
在可靠性方面，该器件具有宽工作温度范围（-55℃～175℃），能够适应恶劣的工作环境。其封装设计也符合RoHS环保标准，适合现代电子产品的绿色制造要求。
HGQ014N04B-G 主要应用于高功率开关电源、同步整流器、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、电动工具、电机驱动器、LED照明驱动、电源管理模块以及各种高电流负载开关控制场合。由于其低导通电阻和高电流能力，该MOSFET在需要高效能和高可靠性的系统中表现出色，尤其适用于对效率和散热有较高要求的设计。此外，该器件也广泛用于工业自动化设备、通信电源、服务器电源和新能源系统中。
IRF1404、STP150N4F7、SiSS54DN、IPB014N04N
