时间：2025/6/23 22:53:18
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HGP018N04A是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252封装形式。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，非常适合用于各种功率转换应用，例如开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等场景。
这款MOSFET的电压等级为40V，能够在较高的工作电压下保持稳定运行，同时其低导通电阻特性能够显著降低功率损耗，提高整体效率。
最大漏源电压：40V
最大栅极源极电压：±20V
连续漏极电流：13.6A
导通电阻：27mΩ
总功耗：1.3W
工作温度范围：-55℃至+150℃
HGP018N04A的主要特点是低导通电阻，仅为27毫欧，在同类型产品中表现出色，可有效减少传导损耗，提高系统效率。
此外，它还具备快速开关能力，有助于减少开关损耗。
其紧凑的TO-252封装使其适合空间受限的应用环境，同时提供良好的散热性能。
在电气性能方面，HGP018N04A支持高达13.6A的连续漏极电流，并且能在极端温度条件下（-55℃至+150℃）正常工作，增强了其可靠性和适应性。
HGP018N04A广泛应用于多种领域，包括但不限于：
- 开关模式电源(SMPS)中的功率级开关
- DC-DC转换器中的同步整流或降压/升压电路
- 电池保护电路
- 消费类电子设备中的负载开关
- 小型电机驱动与控制
凭借其高性能和可靠性，这款MOSFET是众多功率转换和控制应用的理想选择。
IRLZ44N, FDN340P
