时间：2025/8/2 5:04:54
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HGN080N10A 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高功率开关应用。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压和高电流容量的特点，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等电路设计。
类型：N沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：80A（在Tc=25℃）
导通电阻（Rds(on)）：最大8mΩ（在Vgs=10V）
功耗（Pd）：200W
工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
封装形式：TO-247
HGN080N10A 具备出色的导通性能和热稳定性，其低导通电阻（Rds(on)）确保在高电流应用中实现更低的功率损耗。该器件采用了先进的沟槽式栅极结构技术，提升了器件的开关速度和导通效率。此外，HGN080N10A 还具有良好的雪崩耐受能力，能够承受瞬时过压情况，从而增强系统的可靠性。其高耐压能力和大电流承载能力使其适用于高频开关电源和高功率负载管理应用。封装形式为TO-247，具有良好的散热性能，适合高功率密度设计。
在电气性能方面，HGN080N10A 的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高系统效率。同时，其快速恢复特性适用于需要高频工作的场合。该器件的短路耐受能力也较强，适用于工业电源、电池管理系统和电动工具等对可靠性要求较高的应用环境。
HGN080N10A 广泛应用于各类高功率电子系统中，包括但不限于：DC-DC转换器、电源供应器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统（BMS）、逆变器、UPS系统、LED照明驱动电路以及工业自动化控制系统。其高电流能力和低导通电阻特性使其成为高效能开关电源中的优选器件。
TK80E10K, IPP80N10S4-03, FDP80N10
