时间：2025/5/15 15:55:27
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HKG3DE222MG3BW(2KV222M)是一种高性能的功率MOSFET器件，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高耐压和快速开关速度等特点，能够有效提升系统的效率和稳定性。
该型号的命名中包含关键参数信息：2KV表示器件的最大耐压为2000V，222M表示其导通电阻约为222mΩ（典型值）。整体设计使其在高压应用环境中表现优异。
最大耐压：2000V
导通电阻：222mΩ（典型值）
最大漏极电流：15A
栅极电荷：50nC
开关速度：100ns
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. 高耐压性能：HKG3DE222MG3BW支持高达2000V的电压，适用于高压工业场景。
2. 低导通电阻：其导通电阻仅为222mΩ，能够显著降低功率损耗。
3. 快速开关能力：具备低栅极电荷和快速开关速度（100ns），适合高频应用。
4. 稳定性强：能够在极端温度条件下保持良好的电气性能。
5. 封装坚固：采用TO-247封装，提供出色的散热性能和机械强度。
1. 开关电源：用于高效能量转换和稳定输出控制。
2. 电机驱动：适用于各类工业电机的驱动与保护电路。
3. DC-DC转换器：实现电压调节和功率传输功能。
4. 逆变器：用作核心功率开关元件，在太阳能和不间断电源系统中发挥重要作用。
5. 高压电子负载：支持高电压环境下的精确电流控制。
HKG3DE222MG3AW, 2KV222MA, IRFP260N
