时间：2025/5/7 16:46:22
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HKG3AB471KG2BW(1KV471K) 是一款高性能的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用先进的制造工艺设计，广泛用于高电压、高效率的应用场景。该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于电源管理、电机驱动和逆变器等应用领域。
这款 MOSFET 的封装形式为 TO-247 或类似大功率封装，能够有效散热并支持较高的电流负载。其耐压等级达到 1000V，最大漏源极电流可达几十安培（具体取决于工况）。此外，它还具备良好的热稳定性和抗静电能力。
额定电压：1000V
额定电流：47A
导通电阻：0.15Ω
栅极电荷：120nC
输入电容：1800pF
最大功耗：260W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-247
1. 高耐压能力，适合高压环境下的开关应用。
2. 低导通电阻，有助于降低功率损耗并提高效率。
3. 快速开关性能，减少开关损耗，提升系统动态响应能力。
4. 热稳定性强，可在极端温度条件下正常运行。
5. 良好的抗静电保护功能，确保器件在复杂电磁环境下可靠工作。
6. 大电流承载能力，满足高功率应用场景需求。
7. 封装设计优化，易于集成到各种电路板中，同时提供高效的散热路径。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 工业电机驱动系统的功率级元件。
3. 新能源领域如太阳能逆变器和风力发电转换器的核心组件。
4. 高频 DC-DC 转换器和 PFC（功率因数校正）电路。
5. 电动汽车充电站及车载充电设备的关键功率器件。
6. UPS 不间断电源和其他备用电源系统中的功率开关。
HKG3AB471KG2AW, IRFP460, STW97N100K5
