类型：N沟道
　　漏源电压(Vds)：60V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：29A
　　导通电阻(Rds(on))：约8.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　功耗(Pd)：100W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-220或类似的功率封装

HGB029N06SL具有多项优异的电气和热性能特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）能够有效降低导通损耗，提高系统效率，尤其适用于高电流应用。其次，该MOSFET具有高耐压能力，最大漏源电压为60V，适用于多种中高压功率转换场景。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，允许使用标准的10V或12V驱动电路，兼容性强。
　　该MOSFET还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，适合在紧凑型设计中使用。其封装设计（如TO-220）支持良好的散热性能，确保长时间高负载运行的可靠性。此外，HGB029N06SL在开关特性上表现优异，具有快速开关能力，降低了开关损耗，适用于高频开关应用，如同步整流、PWM控制等。
　　从可靠性角度来看，HGB029N06SL具备较强的抗过载和短路能力，能够在突发性负载条件下维持稳定运行。其高雪崩能量耐受能力也提升了在突发电压尖峰环境下的安全性。

HGB029N06SL广泛应用于各种电源管理系统和功率电子设备中。典型应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、马达驱动器、电池管理模块以及电源分配系统。由于其高电流能力和低导通电阻，特别适合用于高效率、高功率密度的开关电源设计。
　　在工业自动化设备中，HGB029N06SL可用于控制大功率负载，如继电器、电磁阀和电机驱动电路。在消费类电子产品中，该MOSFET可应用于笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理系统。此外，在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，HGB029N06SL也可作为功率开关元件使用，发挥其高效、高可靠性的优势。

SiR862DP, IPB029N06LC, FDS6680, AO4407, FDBL029N06SL