时间：2025/9/6 16:52:29
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HG73C249AFE是一款由Rohm（罗姆）半导体公司生产的N沟道功率MOSFET，适用于高效率电源转换器、电机驱动、DC-DC转换器和负载开关等应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻和高开关性能，适合用于需要高效能和小型化的电子系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：30V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：260A（在TC=25℃）
脉冲漏极电流(IDM)：1040A
导通电阻(RDS(on))：最大值0.88mΩ（在VGS=10V）
功耗(PD)：200W
工作温度范围：-55℃～150℃
封装形式：HSON（热增强型超小型封装）
HG73C249AFE具备极低的导通电阻，能够显著降低传导损耗，提高系统效率。其HSON封装具有优良的热管理能力，使得MOSFET在高电流条件下仍能保持稳定运行。该器件还具备较高的雪崩能量承受能力，增强了在异常工作条件下的可靠性。
此外，HG73C249AFE的栅极设计优化了开关特性，从而降低了开关损耗，适用于高频开关应用。其低Qg（栅极电荷）和Qrr（反向恢复电荷）使其在高速切换中表现出色，有助于提升电源转换器的整体性能。
由于其封装尺寸紧凑，HG73C249AFE非常适合用于空间受限的高密度电路设计，例如便携式设备、服务器电源、电动车控制器以及工业自动化设备。
HG73C249AFE广泛应用于多种高功率密度和高效率要求的电子系统中，包括但不限于：
? 电源管理系统，如DC-DC转换器和同步整流器
? 电机控制和驱动电路
? 电池管理系统（BMS）
? 服务器和通信设备的电源模块
? 汽车电子，如电动助力转向系统（EPS）和车载充电器
? 工业自动化和机器人控制系统
SiZ240DT, Nexperia的PMV32X, STMicroelectronics的STL110N3LLF7
