HG73C036AFE 时间：2025/9/6 19:24:38 阅读：5

HG73C036AFE是一款由东芝（Toshiba）生产的功率MOSFET器件，主要用于高效率电源转换系统、DC-DC转换器、电机驱动以及各类功率管理应用。该器件采用先进的沟槽式（Trench）MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能，能够在高温和高负载条件下稳定工作。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：120A（在Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值3.6mΩ（在Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　封装类型：TO-247
　　工艺技术：沟槽式MOSFET

特性

HG73C036AFE具有多个突出的技术特性，首先，其低导通电阻能够显著降低导通损耗，提高电源转换效率，适用于高电流应用。其次，该MOSFET采用高性能的沟槽式结构设计，增强了载流能力并降低了开关损耗，从而实现更快的开关速度和更低的热量产生。
　　此外，HG73C036AFE的额定漏极电流高达120A，使其适用于高功率密度系统。其TO-247封装提供了良好的散热性能，确保在高负载条件下的稳定运行。该器件还具备良好的热稳定性，能够在150℃的结温下正常工作，适应各种恶劣的工作环境。
　　栅极驱动方面，该MOSFET支持标准10V驱动电压，兼容常见的驱动IC和控制器，简化了电路设计。同时，其±20V的栅源电压耐受能力提高了器件在高频开关应用中的可靠性。

应用

HG73C036AFE广泛应用于多种高功率电子系统中，包括DC-DC转换器、服务器电源、工业电源、UPS（不间断电源）、电机控制电路以及电池管理系统（BMS）。由于其高效率和低损耗特性，特别适用于要求高可靠性和高能效的电源模块设计。此外，该器件也可用于同步整流、负载开关以及高功率LED驱动电路等应用场景。