类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：120A（最大值）
　　漏极-源极电压（VDS）：30V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：3.3mΩ（最大值，VGS=10V）
　　功耗（PD）：140W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-263（表面贴装）

HG73C033BT 的核心特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），典型值仅为3.3mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。该器件采用了先进的沟槽式结构技术，使得在保持高电流承载能力的同时，实现更小的芯片尺寸和更低的热阻。
　　该MOSFET具有高雪崩耐量和优秀的短路耐受能力，确保在极端工作条件下仍能保持稳定运行。其栅极氧化层经过优化设计，支持±20V的栅极电压，增强了抗过压能力，同时提高了器件的可靠性。
　　封装方面，HG73C033BT 采用 TO-263（又称为 D2PAK）表面贴装封装，具备良好的散热性能，适合高功率密度设计。该封装也便于自动化装配，提高了生产效率。
　　此外，HG73C033BT 的快速开关特性使其适用于高频开关应用，从而减小外部电感和电容的尺寸，进一步提升系统效率并降低整体成本。

HG73C033BT 主要应用于需要高效功率管理的场合，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路、电源管理单元（PMU）等。此外，该器件也适用于工业自动化设备、服务器电源、通信设备电源模块以及电动车相关电子系统等高可靠性要求的场景。
　　由于其出色的导通性能和热管理能力，HG73C033BT 也常用于高电流负载的控制电路中，例如电动工具、无人机动力系统以及高功率LED照明驱动等应用。其表面贴装封装也使其适用于现代高密度PCB布局和自动化生产流程。

SiS828DN, NexFET CSD17501Q5A, Infineon BSC033N03LS