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HG73C033BT 发布时间 时间:2025/8/27 17:55:45 查看 阅读:10

HG73C033BT 是一款由 Renesas(瑞萨电子)生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效率电源转换应用而设计。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术,具有低导通电阻、高开关速度和优良的热性能。HG73C033BT 是 N 沟道增强型MOSFET,适用于如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关以及电机控制等功率电子系统。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极电流(ID):120A(最大值)
  漏极-源极电压(VDS):30V
  栅极-源极电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):3.3mΩ(最大值,VGS=10V)
  功耗(PD):140W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-263(表面贴装)

特性

HG73C033BT 的核心特性之一是其极低的导通电阻(RDS(on)),典型值仅为3.3mΩ,这显著降低了导通损耗,提高了电源转换效率。该器件采用了先进的沟槽式结构技术,使得在保持高电流承载能力的同时,实现更小的芯片尺寸和更低的热阻。
  该MOSFET具有高雪崩耐量和优秀的短路耐受能力,确保在极端工作条件下仍能保持稳定运行。其栅极氧化层经过优化设计,支持±20V的栅极电压,增强了抗过压能力,同时提高了器件的可靠性。
  封装方面,HG73C033BT 采用 TO-263(又称为 D2PAK)表面贴装封装,具备良好的散热性能,适合高功率密度设计。该封装也便于自动化装配,提高了生产效率。
  此外,HG73C033BT 的快速开关特性使其适用于高频开关应用,从而减小外部电感和电容的尺寸,进一步提升系统效率并降低整体成本。

应用

HG73C033BT 主要应用于需要高效功率管理的场合,如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统(BMS)、电机驱动电路、电源管理单元(PMU)等。此外,该器件也适用于工业自动化设备、服务器电源、通信设备电源模块以及电动车相关电子系统等高可靠性要求的场景。
  由于其出色的导通性能和热管理能力,HG73C033BT 也常用于高电流负载的控制电路中,例如电动工具、无人机动力系统以及高功率LED照明驱动等应用。其表面贴装封装也使其适用于现代高密度PCB布局和自动化生产流程。

替代型号

SiS828DN, NexFET CSD17501Q5A, Infineon BSC033N03LS

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