时间：2025/9/7 16:45:19
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HG71G063D2R16FD是一款由华冠（HGSEMI）生产的功率MOSFET器件，属于高压、大电流、低导通电阻的N沟道MOSFET类型。该器件主要用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及高功率开关应用中。其封装形式为TO-220，适用于多种工业和消费类电子设备。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：600V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：30A（@TC=100℃）
导通电阻(Rds(on))：0.16Ω（@Vgs=10V）
功率耗散(Pd)：100W
工作温度范围：-55℃~150℃
封装类型：TO-220
HG71G063D2R16FD具有优异的导通性能和开关特性，适用于高效率电源系统。其最大漏源电压可达600V，能够承受较高的电压应力，适合应用于AC/DC电源转换器、PFC（功率因数校正）电路等高电压场景。该器件的导通电阻较低，仅为0.16Ω，在工作状态下能够显著降低导通损耗，提高系统整体效率。此外，该MOSFET采用TO-220封装，具有良好的散热性能，能够在较高功率下稳定运行。
这款MOSFET的栅极驱动电压范围为±20V，通常在10V驱动电压下即可实现最佳导通状态，兼容多种常见的MOSFET驱动电路。其最大连续漏极电流为30A，适用于需要较高电流承载能力的应用场合，如电机控制、高功率LED驱动等。
从热性能方面来看，该器件的最大功耗为100W，可在较宽的温度范围内稳定工作，适用于工业级环境。其工作温度范围为-55℃至150℃，确保在极端环境下依然具备良好的电气性能和可靠性。
HG71G063D2R16FD广泛应用于各类高功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、UPS不间断电源、电机驱动器、LED照明电源以及工业自动化控制系统等。该器件的高耐压、低导通电阻和高电流能力使其成为电源管理领域中理想的开关元件。此外，该MOSFET也适用于家用电器、智能电网设备以及新能源系统中的功率控制模块。
SGP30N60CFD, FQA30N60C, G40N60FD
