HG62G035R35F是一款由HGC(华冠半导体)生产的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,主要用于高功率电子设备中。该模块集成了多个IGBT芯片,具有高耐压、高电流承载能力和低导通压降等优点,适用于电力电子变换器、电机驱动、电动汽车充电器和可再生能源系统等领域。HG62G035R35F采用模块化封装技术,确保了在高功率密度应用中的可靠性和稳定性。
类型:IGBT模块
额定集电极-发射极电压(VCES):650V
额定集电极电流(IC):35A
短路耐受能力:10μs@150°C
导通压降(VCE_sat):约2.1V(典型值)
工作温度范围:-40°C至150°C
封装形式:双列直插式(DIP)
安装方式:螺钉安装
热阻(RthJC):约0.8°C/W
栅极驱动电压:±15V
最大存储温度:-40°C至150°C
HG62G035R35F具有多项先进的性能特点。首先,其高耐压能力(650V)使其适用于多种高电压应用场景,如光伏逆变器和工业电机控制。其次,该模块的最大集电极电流为35A,能够在较宽的负载范围内保持稳定运行。此外,其低导通压降(VCE_sat约为2.1V)有助于降低导通损耗,提高系统效率。HG62G035R35F还具备良好的短路耐受能力,可在150°C条件下承受10μs的短路电流,从而提升系统的安全性和可靠性。
该模块采用了先进的芯片封装技术,确保了良好的热管理和机械稳定性。其热阻(RthJC)约为0.8°C/W,使得模块在高功率运行时能够有效散热,防止因过热导致的性能下降或损坏。此外,HG62G035R35F支持±15V的栅极驱动电压,提供了更宽的驱动电压范围,适应不同的控制电路设计。
模块的封装形式为双列直插式(DIP),并采用螺钉安装方式,便于在PCB上安装和固定,同时保证良好的电气连接和散热性能。该模块的宽工作温度范围(-40°C至150°C)使其适用于各种恶劣环境,包括工业自动化设备、电动汽车充电系统和风能变流器等。
HG62G035R35F广泛应用于需要高功率密度和高可靠性的电力电子系统。其主要应用领域包括:工业电机驱动系统,如伺服驱动器和变频器;可再生能源系统,如光伏逆变器和风力发电变流器;电动汽车充电设备,包括车载充电器和充电桩;以及智能电网和储能系统中的功率转换装置。此外,该模块也可用于不间断电源(UPS)、电焊机和感应加热设备等高功率应用场合。
HG62G035R35F的替代型号包括HG62G035R35S、HG62G035R35E、FS50R035W1E4_B11(Infineon)和SKM35GB065D(Semikron)。这些型号在电气性能和封装形式上与HG62G035R35F相近,适用于类似的高功率应用场景,但具体选型应根据系统需求和供应商库存情况进行调整。