HG61H20B77FS是一款由Hynix(现为SK hynix)生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高速存储器系列,通常用于需要高性能存储解决方案的电子设备中。该芯片支持同步动态随机存取存储器(SDRAM)技术,适用于需要快速数据访问的应用场景。HG61H20B77FS采用标准的封装形式,具备良好的兼容性和稳定性,广泛应用于工业控制、通信设备、消费类电子产品等领域。
容量:16M x 16
类型:DRAM
电压:3.3V
封装类型:TSOP
工作温度范围:0°C 至 70°C
数据速率:166MHz
组织结构:1M x 16 x 4 Banks
HG61H20B77FS具备高速数据存取能力,支持166MHz的时钟频率,能够满足高性能系统的数据处理需求。该芯片采用CMOS工艺制造,功耗较低,适合长时间运行的设备使用。其TSOP封装形式不仅提供了良好的散热性能,还便于安装和维护。此外,该芯片内置4个存储体(Banks),可以有效提升数据吞吐效率,减少访问延迟。
该DRAM芯片支持标准的SDRAM接口,兼容多种控制器和主板平台,简化了系统设计。其工作温度范围为0°C至70°C,适用于大多数工业和商业环境。芯片内部集成了刷新控制电路,确保数据在断电前能够被正确保存,并支持自动刷新模式,降低系统功耗。
HG61H20B77FS还具备良好的抗干扰能力和稳定性,适合用于对数据完整性要求较高的应用场景,如网络设备、嵌入式系统、图像处理设备等。其16位数据宽度设计支持更高的数据传输带宽,适用于需要大量数据缓存的应用。
该芯片广泛应用于需要高速存储的设备,如路由器、交换机、工控机、嵌入式系统、数字电视、视频监控设备等。由于其高可靠性和高性能,HG61H20B77FS也常用于通信基础设施、测试仪器、医疗设备和消费类电子产品中。
IS42S16400J-6T, MT48LC16M16A2B4-6A, KM416S2020CT