时间：2025/9/6 13:22:40
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HG28E1011P 是一款高压大功率场效应晶体管（MOSFET），广泛用于高电压和高电流的应用场合，如电源转换器、电机驱动、开关电源和工业控制电路中。这款MOSFET具有较高的耐压能力，适用于需要稳定性和高可靠性的系统。其封装形式通常为TO-247或类似的大功率封装，便于散热和安装。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：1000V
漏极电流（Id）：11A
导通电阻（Rds(on)）：约1.2Ω（典型值）
栅极电压（Vgs）：±30V
最大功耗（Pd）：150W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
HG28E1011P MOSFET 具备优异的导通特性和开关性能，能够在高电压条件下稳定工作。其高耐压特性（1000V）使其适用于高压电源转换系统，如逆变器、开关电源和工业电机控制设备。该器件具有较低的导通电阻，有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，HG28E1011P 的封装设计有助于高效散热，确保在高电流应用中的稳定性与可靠性。该MOSFET还具备良好的抗过载能力，可在恶劣工作环境下保持稳定运行。
在实际应用中，HG28E1011P 可以作为开关元件用于DC-AC逆变器、DC-DC转换器以及功率因数校正（PFC）电路中。其栅极驱动特性较为温和，便于与其他驱动电路配合使用，同时具备较高的抗干扰能力和热稳定性。
HG28E1011P 主要应用于高压电源系统，包括开关电源（SMPS）、逆变器、电机驱动器、LED照明驱动电路、工业自动化设备以及UPS不间断电源系统。其高耐压和中等电流能力使其在高压转换和控制电路中表现出色，适合用于需要高可靠性和稳定性的电力电子系统。
HG28N1011P、2SK2854、IXTH11N100P、STF11NM60N
