类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：25V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　最大连续漏极电流(ID)：80A（在TC=25℃时）
　　导通电阻(RDS(on))：最大4.1mΩ（当VGS=10V时）
　　功率耗散(PD)：125W
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　封装类型：TO-220F

HG28A25041FS具有优异的导通性能和开关性能，采用先进的沟槽式MOSFET工艺，使其在低压大电流应用场景中表现出色。其导通电阻非常低，在VGS=10V时最大仅为4.1mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了系统效率。
　　该器件的最大漏源电压为25V，最大漏极电流可达80A，适用于多种中低压功率应用。TO-220F封装形式具备良好的散热能力，能够有效将热量传导至散热片，从而保证器件在高功率密度下的稳定运行。
　　HG28A25041FS具备较强的抗雪崩能力和较高的可靠性，适合用于工业电源、服务器电源、笔记本电脑适配器、电池管理系统（BMS）以及电动工具等对性能和稳定性有较高要求的应用场景。
　　此外，该MOSFET具有良好的栅极电荷特性，有助于降低开关损耗，提高开关速度，从而进一步提升整体能效。其栅极驱动电压范围较宽，兼容常见的10V和12V驱动电路，便于设计和应用。

HG28A25041FS广泛应用于各种电源系统中，例如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池充电与管理系统、服务器电源模块、UPS不间断电源、工业控制电源以及电动工具等。其低导通电阻和高电流能力使其在高效能、高功率密度的设计中具有明显优势，尤其适合需要高效率和低发热的应用场景。
　　在DC-DC转换器中，该器件作为主开关或同步整流器使用，可显著降低导通损耗并提高转换效率；在电池管理系统中，它可用于充放电控制和保护电路，确保电池组的安全运行；在电动工具和工业设备中，HG28A25041FS可用于高电流负载的开关控制，提供稳定的电流传输能力。
　　由于其优异的热性能和高可靠性，该器件在高温环境下仍能保持稳定的性能，因此广泛应用于对稳定性和耐久性要求较高的工业级和消费类电子产品中。

SiR826DP-T1-GE3, SQJ400EP-T1_GE3, FDS6680, AO4406