HG20N60B3 时间：2025/12/29 14:30:22 阅读：14

HG20N60B3 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，广泛用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和逆变器等应用。该器件采用TO-220封装，具备高耐压、大电流和低导通电阻的特性。

参数

类型：N沟道
　　最大漏极电流：20A
　　最大漏源电压：600V
　　导通电阻(RDS(on))：0.25Ω
　　栅极电压范围：±30V
　　最大功耗：40W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-220

特性

HG20N60B3 采用先进的沟槽栅极技术，具备低导通电阻和高开关速度的特性，从而减少了导通损耗和开关损耗，提高了整体效率。
　　该器件的耐压能力高达600V，能够承受较高的电压应力，适用于高压环境下的应用，如AC-DC电源转换器和工业电机驱动器。
　　其TO-220封装设计有助于良好的散热性能，确保在高功率工作条件下的稳定性与可靠性。
　　此外，HG20N60B3 内部集成了快速恢复二极管（FRD），提高了其在高频开关应用中的性能，减少了外部元件的数量，简化了电路设计。
　　这款MOSFET还具有良好的热稳定性和抗过载能力，能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行。

应用

HG20N60B3 主要应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、UPS不间断电源、逆变器、电机控制器和工业自动化设备等电力电子系统中。
　　由于其高耐压和大电流能力，也适用于LED照明驱动、电焊机、感应加热等高功率密度场合。
　　在新能源领域，如太阳能逆变器和电动车充电模块中，HG20N60B3 也常被用于功率开关电路，提供高效、稳定的电能转换。
　　此外，该器件还可用于消费类电子产品中的电源管理电路，如液晶电视、音响设备和高端家用电器等。